第110章 高主任面前,怎么我们都是问题？（3k）（3/4）

高振东道：“我的建议，是用液相渗硅的办法，这个办法在我看来，和你们现在使用的方法一样，具有操作简单、设备成本低、适合大批量生产等优点，与其他方法相比，这个办法也能较大程度保留石墨基体，有利于维持石墨的自润滑性和导热性能。”

“但是它相比你们现在使用的方法，最大的区别是它的硅化石墨的碳化硅主要存在于石墨空隙中，而不是像你们使用的方法一样在硅化石墨表面有一层较厚的碳化硅层，这层较厚的碳化硅层，应该就是热裂情况严重的元凶。”

这句话，高振东也是有依据的，国产SRM材料的公开论文中，就提到过仿制C-17δ过程中，解决的最大问题就是渗硅层过厚而产生的热裂问题，只是没有说用的什么手段。

在高振东看来，殊途同归，自己提的这个方案，应该也是能解决这个问题的。

段工一听大喜，行家一出手，就知有没有，这几句话句句打在要害上，一听真有新的工艺方法，连忙追问：“高主任，那你说的这个液相渗硅法，具体是怎么弄？”

高振东一点不藏私：“碳化硅和硅配比3:2作为硅源原料，反应温度1600℃，真空环境下反应，你看，是不是很简单？”

此话一出，段工差点没一笔杆子扔过去，对对对，你说得都对，是很简单。

不过想想，这个办法真的是很简单啊，甚至都想不出有什么能比这个更简单的了，如果能有效，那可就太好了，成本是真的低。

高振东没有给段工扔笔杆子的机会，继续说道：“这样，顺便能解决你们的第二个问题，氧化铝的使用问题。”

“氧化铝？”

“没错，氧化铝虽然理论上能细化SiC晶粒，使碳化硅层更加致密，但实际上，氧化铝过量时反应会产生大量气体，这些气体逸出的时候，会破坏碳化硅层的致密性，对硅化石墨的性能产生不利影响，这也会降低你们成品的性能。”

这下碳研院的人是明白这高主任是个真正的高手，碳研院其他技术人员双眼闪着小星星，看着两位大佬交流，运笔如飞。

高振东接下来的话，让碳研院的人有点很不好意思：“接下来，我再说第三个问题。”

啊，我们的技术这么多问题吗？哪儿哪儿都是问题，这都第三个了，惭愧惭愧啊。

段工一脸惭愧：“高主任，您继续说。”

高振东指着记录上的碳颗粒参数道：“我建议你们把碳颗粒的直径提高一点，提到毫米，同时，不要用紧致的高密度碳颗粒，用疏松一点的。”

碳研院的一堆技术员心里有疑问，但是不敢说话，还是段工问了出来：“这不是降低致密性，降低强度了吗？”